RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
103
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
103
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1520
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link