RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1839
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link