RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2987
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link