RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1724
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link