RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2822
2910
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link