RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
3.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
52
Prędkość odczytu, GB/s
6.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
865
2236
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link