RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2711
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link