RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2336
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link