RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2660
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link