RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
95
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
95
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1518
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link