RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3257
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link