RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
74
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
74
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
1616
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link