RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2483
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link