RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
68
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
68
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2007
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link