RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2773
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link