RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2453
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link