RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
55
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2239
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link