RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2204
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link