RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
56
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
56
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2455
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link