RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2763
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link