RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
1728
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link