RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2290
2414
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link