RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
1660
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link