RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
1763
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link