RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3024
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link