RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs INTENSO 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
INTENSO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2061
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
INTENSO 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link