RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424051 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
97
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
97
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1270
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link