RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2620
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link