RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
73
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1724
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link