RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
66
Wokół strony -230% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3244
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link