RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
66
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1836
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link