RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2740
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link