RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3779
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link