RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3663
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link