RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
66
Wokół strony -288% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3702
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
UMAX Technology 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link