RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
66
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
4251
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link