RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
66
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2226
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link