RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2962
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link