RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3332
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link