RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2841
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link