RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2429
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link