SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,076.1 left arrow 12.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    38 left arrow 59
    Wokół strony -55% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 6400
    Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,723.5 left arrow 15.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,076.1 left arrow 12.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    741 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania