RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
85
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1772
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link