RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3510
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link