RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
60
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
57
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2792
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link