RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3925
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link