RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3929
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link