RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
44
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
17
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3320
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link