RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
117
Wokół strony -303% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2950
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link