RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
68
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3099
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link